| 富勒烯作为电子束抗蚀剂在纳米光刻中的应用 |
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| 引用本文： | 夏强,顾宁.富勒烯作为电子束抗蚀剂在纳米光刻中的应用[J].微细加工技术,2000(4):1-5. |
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| 作者姓名： | 夏强 顾宁 |
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| 作者单位： | 东南大学分子与生物分子电子学开放实验室,南京,210096 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69890220) |
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| 摘 要： | 纳米光刻对于纳米电子学的研究与发展具有非常重要的意义。分子尺寸为０．７纳米且可发生电子束诱导聚合的富勒烯（主要是Ｃ６０），可以作为电子束抗蚀剂，用于电子束纳米光刻，制作纳米级精细图形。这类抗蚀剂主要有三种类型：纯Ｃ６０、、Ｃ６０衍生物及Ｃ６０与常用抗旬剂形成的纳米复合抗旬剂。介绍了这方面工作的研究现状、存在的问题及发展前景。
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| 关 键 词： | 富勒烯 纳米光刻 电子束抗蚀剂 |
| 文章编号： | 1003-8213(2000)04-0001-05 |
| 修稿时间： | 2000-02-14 |
Application of Fullerenes in Nanolithography As Electron Beam Resists |
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| XIA Qiang,GU Ning.Application of Fullerenes in Nanolithography As Electron Beam Resists[J].Microfabrication Technology,2000(4):1-5. |
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| Authors: | XIA Qiang GU Ning |
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| Affiliation: | XIA Qiang ,GU Ning ;
(National Laboratory of Molecular and Biomolecular Electonics,Southeast University,
Nanjing 210096, China) |
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| Abstract: | Fullerene C 60 (molecular size 0.7nm) can be used as electron beam resist to fabricate nanometer patterns due to the fact that C 60 molecules could produce electron beam induced polymerization. The fullerene based resists may be formed by pure C 60 , C 60 derivatives and C 60 incorporated nanocomposite resist system. The research progress and the future prospect were reviewed and discussed. |
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| Keywords: | fullerene nanolithography electron beam resists |
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