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| 1.3μm InGaAsP/InP大功率短脉冲SPB-BC激光器 | |
| 引用本文： | 张佰君,孙伟,衣茂斌,申智渊,李德辉,苗忠礼,高鼎三.1.3μm InGaAsP/InP大功率短脉冲SPB-BC激光器[J].半导体学报,1998,19(7):510-514. |
| 作者姓名： | 张佰君 孙伟 衣茂斌 申智渊 李德辉 苗忠礼 高鼎三 |
| 摘 要： | 本文在传统的掩埋新月型激光器的基础上，提出了一种１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ大功率激光器结构－选择性质子轰击掩埋新月型激光器（ＳＰＢ－ＢＣ）．文中对其制作过程及特性进行了详细的描述和测量．它的最低阈值电流小于１０ｍＡ，对于ｎ－ＩｎＰ衬底，它的最大输出功率为６５ｍＷ，ｐ－ＩｎＰ衬底，最大输出功率为８０ｍＷ．在重复频率为２．１ＧＨｚ时，测得光脉冲的半宽度（ＦＷＨＭ）为１８ｐｓ． |
| 关 键 词： | 半导体激光器 SPB－BC MOCVD |
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