| AlGaInP大功率半导体激光器的漏电分析 |
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| 引用本文： | 徐云,李玉璋,宋国峰,甘巧强,杨国华,曹玉莲,曹青,郭良,陈良惠. AlGaInP大功率半导体激光器的漏电分析[J]. 半导体学报, 2006, 27(13): 299-303 |
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| 作者姓名： | 徐云 李玉璋 宋国峰 甘巧强 杨国华 曹玉莲 曹青 郭良 陈良惠 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083；惠州市中科光电有限公司，惠州 516023;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083；惠州市中科光电有限公司，惠州 516023;中国科学院半导体研究所，北京 100083；惠州市中科光电有限公司，惠州 516023;中国科学院半导体研究所，北京 100083 |
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| 摘 要： | 对于GaInP/AlGaInP量子阱激光器，在大电流注入或高温工作时有源区中注入的电子会越过势垒进入p型限制层成为漏电流，严重影响器件的正常工作. 本文通过测试AlGaInP大功率压应变量子阱激光器的阈值电流和外微分量子效率随温度的变化，拟合出有源区电子的有效势垒高度，并与理论模拟结果进行了比较，讨论了p型限制层掺杂浓度的分布对势垒高度的影响.
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| 关 键 词： | 半导体激光器；AlGaInP可见光激光器；应变量子阱 |
Leakage Current Analysis of High Power AlGaInP Lasers |
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| Xu Yun,Li Yuzhang,Song Guofeng,Gan Qiaoqiang,Yang Guohu,Cao Yulian,Cao Qing,Guo Liang and Chen Lianghui. Leakage Current Analysis of High Power AlGaInP Lasers[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(13): 299-303 |
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| Authors: | Xu Yun Li Yuzhang Song Guofeng Gan Qiaoqiang Yang Guohu Cao Yulian Cao Qing Guo Liang Chen Lianghui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor laser diodes AlGaInP visible lasers strained quantum well lasers |
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