六方、立方氮化硼的制备和热传导性质研究进展 |
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作者姓名: | 武成 王燕 李坚富 朱昭捷 游振宇 涂朝阳 |
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作者单位: | 1. 中国科学院福建物质结构研究所;2. 中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室) |
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基金项目: | 国家自然科学基金(51872286,51832007); |
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摘 要: | 随着微电子技术的不断进步,电子芯片集成化电路越来越密集。性能提高的同时,其内部热流密度不断攀升,对电子器件的散热能力提出了更高的要求。低热耗散材料严重制约了电子设备的性能和功效,有效的热传递和热管理已成为下一代微处理器、集成电路、发光二极管等设备稳定工作的重要保障,因此亟需具有更高热导率的半导体材料以提高电子器件的使用寿命。近年来,六方氮化硼(h-BN)和立方氮化硼(c-BN)引起了人们极大的研究兴趣,h-BN具有与石墨类似的层状晶体结构,常被称为“白石墨”,散热、绝缘性能良好;而c-BN为闪锌矿结构,具有类似于金刚石的晶体结构,热导率仅次于金刚石,是第三代半导体中禁带宽度最大的材料。研究表明,2种晶体均具有良好的导热性能,可成为新一代电子芯片散热材料,是当前热管理领域的研究热点。本文对h-BN薄膜和c-BN单晶制备方法的研究进展进行了综述,介绍了h-BN和c-BN热传导性质的研究成果,并对h-BN和c-BN面临的挑战和未来的发展方向进行了展望。
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关 键 词: | 六方氮化硼 立方氮化硼 晶体生长 薄膜 热导率 |
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