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| 基于混合PN／肖特基结构的新一代600V SiC肖特基二极管 | |
| 作者姓名： | Peter Wannian Huang Junyang Luo |
| 作者单位： | 1. 英飞凌科技香港有限公司 2. 英飞凌科技亚太有限公司 |
| 摘 要： | 第二代碳化硅(SiC)肖特基二极管——thinQ!2G是由一个肖特基结构和一个与它平行的独特的低电阻PN结组成,因此具备更加强大的浪涌电流处理能力,同时又继承了第一代碳化硅肖特基二极管所实现的良好的动态性能。 |
| 关 键 词： | 肖特基二极管 肖特基结构 SiC 混合 电流处理 动态性能 碳化硅 第二代 |
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