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Ka波段低噪声放大器的设计
引用本文:韩振宇,张海英,刘洪民,李井龙,陈晓哲.Ka波段低噪声放大器的设计[J].电子器件,2004,27(3):389-392.
作者姓名:韩振宇  张海英  刘洪民  李井龙  陈晓哲
作者单位:中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029
基金项目:国家重点基础研究发展规划 ( 973,G2 0 0 2 CB3 1 1 90 6)资助项目
摘    要:利用pHEMT工艺设计了一个Ka波段微波单片低噪声放大器电路。电路采用四级放大的结构形式。利用微带电路实现射频输入、输出和级间匹配。采用多目标优化方法对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数和输出1dB压缩点等特性进行了研究。设计出一个增益大于20dB,噪声系数小于1.0dB,1dB压缩点的输出功率在10dBm以上,性能优异的LNA。

关 键 词:毫米波单片集成电路  Ka波段  赝配高电子迁移率晶体管  低噪声放大器
文章编号:1005-9490(2004)03-0389-04

A Design of Ka Band Low Noise Amplifier
HAN Zhen-yu,ZHANG Hai-ying,LIU Hong-ming,LI Jing-long,CHEN Xiao-zhe.A Design of Ka Band Low Noise Amplifier[J].Journal of Electron Devices,2004,27(3):389-392.
Authors:HAN Zhen-yu  ZHANG Hai-ying  LIU Hong-ming  LI Jing-long  CHEN Xiao-zhe
Abstract:A Ka band monolithic-microwave integrated-circuit(MMIC) low noise amplifier with PHEMT process is presented. A four-stage structure is used in this circuit. Microstrip line matching network are used for input match, output match and inter-stage matching networks. The properties such as gain, noise figure, VSWR, stability factor and output 1dB compression point are discussed by a multi-purpose optimization method. The Ka band LNA exhibits a gain of 20 dB, noise figure of less than 1.0 dB, output power of 1 dB compression point more than 10 dBm from 33 to 37 GHz.
Keywords:MMIC  Ka band  PHEMT LNA
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