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连续非均相沉淀法生长ZnO薄膜及其光致发光性能研究
引用本文:高相东,李效民,于伟东.连续非均相沉淀法生长ZnO薄膜及其光致发光性能研究[J].纳米科技,2004(2).
作者姓名:高相东  李效民  于伟东
作者单位:[1]中国科学院上海硅酸盐研究所 [2]中国科学院上海硅酸盐研究所 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室 上海 [3]高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室 上海
摘    要:将连续离子层吸附与反应法(SILAR)和液相非均相沉淀技术相结合,提出ZnO薄膜的连续非均相沉淀液相制备技术。以Zn(NH_3)_4]~(2 )络离子为前驱体,以玻璃和Si(100)为衬底,从90℃水溶液中沉积得到ZnO薄膜。XRD分析表明,所得薄膜为六方纤锌矿型多晶结构,沿(002)晶面择优取向。AFM测试表明,薄膜表面致密、均匀,ZnO粒子尺度约为200nm~300nm。在340nm室温紫外光激发下,薄膜产生强的近紫外光发射(~390nm)和若干较弱的深能级发射(~450nm~500nm)。初步探讨了连续非均相沉淀法生长ZnO薄膜的机理。

关 键 词:氧化锌  薄膜  连续非均相沉淀法  紫外发光
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