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| 电子回旋共振CF4＋O2等离子体中Si3N4刻蚀工艺研究 | |
| 引用本文： | 徐新艳,汪家友,杨银堂,付俊兴,柴常春,王平.电子回旋共振CF4＋O2等离子体中Si3N4刻蚀工艺研究[J].真空科学与技术,2003,23(6):425-428. |
| 作者姓名： | 徐新艳 汪家友 杨银堂 付俊兴 柴常春 王平 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所，西安710071 |
| 摘 要： | 在一台自行研制的电子回旋共振(ECR)刻蚀系统中用CF4、O2气体实现了Si3N4材料的微细图形刻蚀。获得了气体流量、气体混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响。结果表明刻蚀速率在O2含量为0％时最慢，然后随着气体混合比的增加而增大，当气体中O2含量为20％时达到最大，然后随着气体混合比的增加而缓慢降低。保持气体混合比为20％，刻蚀速率随气体流量增加而增大；同时，微波功率越大，刻蚀速率也越高。 |
| 关 键 词： | 电子回旋共振 刻蚀工艺 等离子体 Si3N4 ECR 可靠性 微电子技术 |
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