| 熔断电阻器化学沉积膜工艺的研究 |
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| 引用本文： | 刘希富.熔断电阻器化学沉积膜工艺的研究[J].淮阴工学院学报,2003,12(5):38-40. |
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| 作者姓名： | 刘希富 |
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| 作者单位： | 淮安信息职业技术学院,江苏,淮安,223001 |
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| 摘 要： | 从熔断电阻器化学沉积膜的工艺原理、工艺过程到五种不同成膜液的配方，分析了不同的配方所形成的化学沉积膜的性质差异，指出影响熔断电阻器化学沉积膜工艺的主要因素有镀液的配方、PH值、温度及镀膜工艺等，从而为我们进一步研究熔断电阻器的化学沉积工艺，提高熔断电阻器的质量有一定的指导意义。
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| 关 键 词： | 熔断电阻器 化学沉积膜 工艺 镀液 |
| 文章编号： | 1009-7961(2003)05-0038-03 |
| 修稿时间： | 2003年8月15日 |
A Research on the Technology of Chemistry Deposit Membrane of Fused Resistor |
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| LIU Xi-fu.A Research on the Technology of Chemistry Deposit Membrane of Fused Resistor[J].Journal of Huaiyin Institute of Technology,2003,12(5):38-40. |
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| Authors: | LIU Xi-fu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | fused resistor chemistry deposit membran technology |
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