|
|||||
|
|
| 用CCWT方法确定少子的体产生寿命及表面产生速度 | |
| 作者姓名： | 谭长华 许铭真 |
| 作者单位： | 北京大学计算机科学技术系(谭长华)，北京大学计算机科学技术系(许铭真) |
| 摘 要： | 在MOS由非平衡深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电荷是恒定的,则空间电荷区宽度的瞬态特性W(t)将提供少子的体产生寿命τ及表面产生速度S的信息;用指数衰减函数比较法可以直接由W-t曲线确定τ、S,省去了Zerbst方法的繁琐作图程序. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |