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| 用MEMS开关改善可变RF放大器性能 | |
| 引用本文： | 孙再吉.用MEMS开关改善可变RF放大器性能[J].半导体信息,2006(5). |
| 作者姓名： | 孙再吉 |
| 摘 要： | 据《日经微器件》2006年第8期报道,NTT DoCoMo研究机构开发了使用MEMS开关,可适应从900MHz到5GHz范围内四个频段的可变RF放大器。在技术性能改善方面突出了下列几点:1用一个放大器件使可适应频段由原来的两个增加到四个;2可适应频段的上限由原来的1.9GHz提高到5GHz;3可适应的四个频段的功率最大效率均在45%以上。用MEMS开关改善可变RF放大器性能@孙再吉 |
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