| 不同形貌Ga2O3纳米材料可控合成工艺研究 |
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| 引用本文： | 孟阿兰 高卫东 李镇江 万里冰. 不同形貌Ga2O3纳米材料可控合成工艺研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2007, 36(A02): 296-298 |
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| 作者姓名： | 孟阿兰 高卫东 李镇江 万里冰 |
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| 作者单位： | [1]青岛科技大学,山东青岛266042 [2]清华大学深圳研究院,广东深圳518057 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（50572041）、山东省自然科学基金（Y2005F08）、青岛市科技发展计划基金（05-1-GX-06）、山东省教育厅项目（J06A02）资助 |
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| 摘 要： | 通过研究基片种类、加热温度、保温时间、冷却速度及是否加入催化剂等不同工艺参数对低维Ga2O3，纳米材料形貌的影响，确定出合成5种不同形貌β-Ga2O3纳米材料的工艺条件。场发射扫描电镜（FE-SEM）表明5种不同形貌α-Ga2O3纳米材料分别为纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环及纳米片。X射线衍射（X-ray）分析结果表明不同形貌纳米材料均为晶格常数日=1．223nm，b=0．304nm，c=0．58nm，a=90°，β=103．7°，γ=90°的单斜晶系β-Ga2O3晶体。
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| 关 键 词： | β-Ga2O3纳米材料 不同形貌 合成 形成机理 |
| 文章编号： | 1002-185X（2007）S2-296-03 |
| 修稿时间： | 2007-02-10 |
Synthesis of the Ga2O3 Nanomaterials with Different Morphologies |
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| Meng Alan, Gao Weidong, Li Zhenjiang, Wan Libing. Synthesis of the Ga2O3 Nanomaterials with Different Morphologies[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2007, 36(A02): 296-298 |
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| Authors: | Meng Alan Gao Weidong Li Zhenjiang Wan Libing |
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| Affiliation: | 1. Qingdao University of Science and Technology, Qingdao 266042, China;2. Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen, Shenzhen 518057, China |
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