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| 光电导性不同的两类α-Si:H膜 | |
| 作者姓名： | 海宇涵 周忠毅 |
| 作者单位： | 中国科学院电子学研究所，中国科学院电子学研究所 |
| 摘 要： | 两类a-Si:H膜的测量表明:高温样品的光电导较大;低温样品的光暗比较大,г值接近1,瞬态响应速度较快。光电导性的差异决定了它们的应用场合的不同。高温样品适合作太阳电池材料,而低温样品适合作光电检测器件材料。不顾应用场合而片面强调光暗比的重要性是不妥当的。以光暗比的大小来评论a-Si:H膜的质量,这是很值得研究的。我们认为对于一些重要的应用场合,光暗比甚至不是重要参量;因为存在着光电导性不同的两类薄膜,它们适于 |
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