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| N-Al共掺杂4H-SiC的第一性原理计算 | |
| 引用本文： | 史茹倩,郑树凯,周鹏力,何静芳,闫小兵,刘磊.N-Al共掺杂4H-SiC的第一性原理计算[J].中国粉体技术,2014(3):70-75. |
| 作者姓名： | 史茹倩 郑树凯 周鹏力 何静芳 闫小兵 刘磊 |
| 作者单位： | 河北大学电子信息工程学院;河北大学计算材料研究与器件模拟中心 |
| 基金项目： | 河北省自然科学基金项目,编号:E2012201088,F2013201196 |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算本征、N单掺杂、Al单掺杂及N-Al共掺杂4H-SiC的电子结构和光学性质。结果表明:N-Al共掺杂导致4H-SiC晶格膨胀,4H-SiC的禁带宽度减小,同时在4H-SiC禁带中引入了杂质能级;N、Al的单掺杂增加了4H-SiC对红外波段和可见光波段的响应,N-Al共掺杂不存在该现象;N-Al共掺杂4H-SiC较本征4H-SiC在紫外波段出现一个更大的透射窗口,吸收系数略小于本征4H-SiC的。 |
| 关 键 词： | 第一性原理 掺杂 光学性质 |
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