2~5GHz 0.18μm CMOS宽带低噪声放大器设计 |
| |
引用本文: | 何小威,张民选.2~5GHz 0.18μm CMOS宽带低噪声放大器设计[J].计算机工程与科学,2011,33(2):61. |
| |
作者姓名: | 何小威 张民选 |
| |
作者单位: | 并行与分布处理国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(60873212) |
| |
摘 要: | 本文设计实现了一个2~5GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA),可应用在超宽带的下半频段(3.1~5GHz)。LNA由两级组成,第一级是一个共栅级,保持良好的线性度并完成较好的输入匹配;第二级是一个共源级堆叠一个电流源,在保持低噪声系数的同时降低功耗。通过级联共栅和共源结构进行增益补偿,所设计的LNA具有近似恒定的增益和噪声系数。采用0.18μm CMOS工艺实现后,模拟结果表明,增益和噪声系数在2~5GHz频率范围内分别为11.5dB和5.1dB,输入反射系数低于-22dB。在4GHz时,模拟得到的三阶交调点为-10dBm。在1.8V电源电压下,LNA的功耗约为11mW。
|
关 键 词: | 低噪声放大器 超宽带 噪声系数 三阶交调点 |
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录! |
| 点击此处可从《计算机工程与科学》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《计算机工程与科学》下载全文 |
|