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54HC系列CMOS器件脉冲与稳态γ总剂量效应异同性研究
作者姓名:罗尹虹  郭红霞  张凤祁  姚志斌  张科营  王圆明
作者单位:西北核技术研究所,陕西 ;西安710024
摘    要:针对现有脉冲辐射模拟装置在模拟真实环境方面累积剂量偏小的特点,开展了54HC系列CMOS器件脉冲γ与60Coγ总剂量效应损伤异同性研究,获取器件效应损伤因子,以期通过对稳态辐射环境下电路总剂量损伤阈值的测量预估脉冲高剂量率环境下的总剂量损伤阈值。研究结果表明,无论选择哪种敏感参数进行效应损伤异同性研究,稳态辐照造成的总剂量损伤总是高于脉冲辐照,即稳态总剂量引起的器件阈值电压漂移、静态功耗电流增加比脉冲总剂量引起的大。

关 键 词:54HCCMOS   脉冲总剂量损伤   效应损伤因子
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