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MEMS微器件用CoNiMnP永磁体薄膜的工艺制备和性能研究
引用本文:汪红,丁桂甫,戴旭涵,苏宇锋,张永华,王志民. MEMS微器件用CoNiMnP永磁体薄膜的工艺制备和性能研究[J]. 功能材料, 2006, 37(11): 1719-1722
作者姓名:汪红  丁桂甫  戴旭涵  苏宇锋  张永华  王志民
作者单位:上海交通大学,微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030;上海交通大学,微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030;上海交通大学,微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030;上海交通大学,微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030;上海交通大学,微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030;上海交通大学,微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030
基金项目:国家自然科学基金 , 上海市科委重点实验室基金
摘    要:研究了采用多种氯化物体系电沉积制备CoNiMnP永磁体薄膜及在微继电器、电磁驱动器永磁体阵列器件方面的应用.对薄膜组成、磁性能的对比研究表明:从稀氯化物体系(200mT)中获得的Co82.4Ni11.9Mn0.4P5.3永磁体薄膜具有最好的磁性能:Hc=208790A/m,Br=0.2T,(BH)max=10.15kJ/m3,且脆性小、内应力较低.进一步解析发现这可能是因为与易磁化轴相平行的Co(110)面上存在织构所致.在此基础上采用掩膜电沉积技术成功地制备出微继电器原位制造和电磁驱动器永磁体薄膜阵列.

关 键 词:MEMS器件  CoNiMnP永磁体薄膜  磁性能  掩膜电沉积
文章编号:1001-9731(2006)11-1719-04
收稿时间:2006-04-29
修稿时间:2006-06-20

Fabrication and properties of the CoNiMnP permanent magnet arrays for MEMS devices
WANG Hong,DING Gui-fu,DAI Xu-han,SU Yu-feng,ZHANG Yong-huag,WANG Zhi-min. Fabrication and properties of the CoNiMnP permanent magnet arrays for MEMS devices[J]. Journal of Functional Materials, 2006, 37(11): 1719-1722
Authors:WANG Hong  DING Gui-fu  DAI Xu-han  SU Yu-feng  ZHANG Yong-huag  WANG Zhi-min
Affiliation:National Key Laboratory of Nano/Micro Fabrication Technology,Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education,Institute of Micro and Nano Science and Technology, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200030, China
Abstract:Permanent CoNiMnP thin film is electrodeposited though several chloride solution,which is potential for microrelay,electromagnetic actuator and permanent magnet array in the field of micro-electro-mechanical system(MEMS).Such parameters of the thin films as its composition,magnetic property,crystal texture,fra- gility and stress are under study.Results show that the Co_(82.4)Ni_(11.9)Mn_(0.4)P_(5.3),which is prepared from low concen- tration chloride bath(200mT),demonstrates the most magnetic properties with coercivity 208790A/m,rema- nence 0.20T and maximum magnetic energy 10.15kJ/m~3.Moreover,the fragility and stress are controlled to an acceptable degree.The abovementioned good performance of Co_(82.4)Ni_(11.9)Mn_(0.4)P_(5.3)thin film is attributed to the texture of the(110)crystal plane,which is parallel to its easy axis.Through microlithography,the electrodepos- ited CoNiMnP is applied to microrelay and electromagnetic microactuator based on permanent array.
Keywords:MEMS    CoNiMnP permanent magnetic thin film   microlithography   magnetic property
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