| 背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器 |
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| 引用本文： | 魏鹏,黄松垒,李雪,邓洪海,朱耀明,张永刚,龚海梅.背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器[J].红外与毫米波学报,2013,32(3):214-219. |
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| 作者姓名： | 魏鹏 黄松垒 李雪 邓洪海 朱耀明 张永刚 龚海梅 |
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| 作者单位： | 上海技术物理研究所,上海技术物理研究所,上海技术物理研究所,上海技术物理研究所,上海技术物理研究所,上海微系统与信息技术研究所,上海技术物理研究所 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（973计划） |
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| 摘 要： | 在MBE外延生长的In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As材料上，采用台面成型方法制备了背照射32?32元InGaAs探测器，其中心距为30μm，并详细分析了探测器及其焦平面光电性能。结果表明，温度高于220K时吸收层材料热激活能为0.443eV，300K时在所考虑的偏压范围内，暗电流主要由扩散电流、产生复合电流及其欧姆漏电流构成。对组件焦平面特性也进行了研究，并通过读出电路的变积分电容测试结构测试结果提取出积分电容上的寄生电容，在测试温度范围内约为10fF左右。
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| 关 键 词： | InGaAs 暗电流 R0A 寄生电容 |
| 收稿时间： | 2012/1/13 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2012/2/10 0:00:00 |
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