| InAs/GaSb二类超晶格材料湿法腐蚀工艺研究 |
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| 引用本文： | 亢喆,温涛,郭喜. InAs/GaSb二类超晶格材料湿法腐蚀工艺研究[J]. 激光与红外, 2018, 48(7): 867-871 |
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| 作者姓名： | 亢喆 温涛 郭喜 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京 100015 |
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| 摘 要： | 研究了不同腐蚀溶液体系下铟砷镓锑(InAs/GaSb)二类超晶格材料的湿法腐蚀工艺。根据腐蚀效果选择了由柠檬酸(C6H8O7)、磷酸(H3PO4)、过氧化氢(H2O2)构成的混合腐蚀液。这种腐蚀液对InAs/GaSb材料腐蚀速率稳定,腐蚀后表面光滑,且下切效应小。同时,研究了该成分腐蚀液不同腐蚀液温度、浓度和各成分配比等条件对InAs/GaSb材料腐蚀速率,形貌和钻蚀情况的影响。根据实验结果配制了体积比为1∶1∶1∶40的柠檬酸(50%):磷酸(85%):过氧化氢(31%):水的腐蚀溶液,室温(20 ℃)下腐蚀速率约为9.48 nm/s。
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| 关 键 词： | 铟砷镓锑 二类超晶格 湿法腐蚀 溶液配比 |
Study on InAs/GaSb type-II superlattice wet-chemical etching process |
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| KANG Zhe,WEN Tao,GUO Xi. Study on InAs/GaSb type-II superlattice wet-chemical etching process[J]. Laser & Infrared, 2018, 48(7): 867-871 |
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| Authors: | KANG Zhe WEN Tao GUO Xi |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro-Optics,Beijing 100015,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InAs/GaSb type-II superlattice wet-chemical etching proportion |
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