| 碲镉汞焦平面组件中硅减薄工艺与热应力计算 |
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| 引用本文： | 刁云飞,张江风,张晓玲,孟庆端. 碲镉汞焦平面组件中硅减薄工艺与热应力计算[J]. 激光与红外, 2021, 51(9): 1191-1195 |
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| 作者姓名： | 刁云飞 张江风 张晓玲 孟庆端 |
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| 作者单位： | 河南科技大学电气工程学院,河南 洛阳471023 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年科学基金项目(No.61505048)；河南省高等学校重点科研项目(No.19A510012)资助。 |
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| 摘 要： | 液氮冲击下,碲镉汞(HgCdTe)焦平面探测器中层状材料间线膨胀系数的不同将会在层状材料中产生热失配,过大的热失配应力将引起HgCdTe芯片断裂,决定着HgCdTe 焦平面探测器的结构可靠性。为了解决HgCdTe 焦平面探测器在液氮冲击下的热失配问题,我们借助MATLAB运算工具,采用线弹性多层体系热应力计算方法,得到了硅读出电路(Silicon Read Out Integrated Circuits,Silicon ROIC)的厚度取不同值时,HgCdTe芯片中的热应力沿法线方向的分布。计算结果表明:当Silicon ROIC的厚度由340μm减薄至25μm的过程中,HgCdTe芯片中生成的热应力随着Silicon ROIC厚度的变薄而线性减小。这表明Silicon ROIC减薄方案是一种解决HgCdTe红外焦平面探测器热失配问题的有效途径。
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| 关 键 词： | HgCdTe 焦平面探测器 弹性多层体系 硅读出电路减薄 |
Thermal stress calculation of MCT focal plane assemblies with thinned silicon ROIC |
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| DIAO Yun-fei,ZHANG Jiang-feng,ZHANG Xiao-ling,MENG Qing-duan. Thermal stress calculation of MCT focal plane assemblies with thinned silicon ROIC[J]. Laser & Infrared, 2021, 51(9): 1191-1195 |
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| Authors: | DIAO Yun-fei ZHANG Jiang-feng ZHANG Xiao-ling MENG Qing-duan |
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| Affiliation: | College of Electrical Engineering,Henan University of Science and Technology,Luoyang 471023,China |
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