| 基于正交试验方法的Si基碲镉汞工艺优化 |
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| 引用本文： | 葛玉斌,高达,王经纬,王丛.基于正交试验方法的Si基碲镉汞工艺优化[J].激光与红外,2019,49(2):209-212. |
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| 作者姓名： | 葛玉斌 高达 王经纬 王丛 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015 |
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| 摘 要： | 采用正交试验方法优化了Si基碲镉汞分子束外延工艺参数,以缺陷密度和缺陷尺度为评判标准。采用三因素三水平正交试验方法,分别使用生长温度、Hg/Te比、生长速率三个因素作为变化的参数。结果表明生长温度对HgCdTe缺陷影响最大,生长速率次之,Hg/Te比最小。使用正交试验获得的生长参数进行试验即生长温度212℃,Hg流量61 sccm,生长速率为1.5 μm/h,获得的HgCdTe材料缺陷密度控制在500 cm-2以内,平均缺陷直径小于3.5 μm。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 正交试验 分子束外延 |
Optimized research on HgCdTe film on Si composite substrate based on orthogonal test method |
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| GE Yu-bin,GAO D,WANG Jing-wei,WANG Cong.Optimized research on HgCdTe film on Si composite substrate based on orthogonal test method[J].Laser & Infrared,2019,49(2):209-212. |
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| Authors: | GE Yu-bin GAO D WANG Jing-wei WANG Cong |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro-Optics,Beijing 100015,China |
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| Keywords: | HgCdTe orthogonal test MBE |
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