| Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析 |
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| 引用本文： | 钟德刚,徐静平,高俊雄,于军. Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析[J]. 微电子学, 2003, 33(1): 26-28 |
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| 作者姓名： | 钟德刚 徐静平 高俊雄 于军 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金(2000J158) |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺，制作了N型6H—SiC肖特基势垒二极管，对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明，该器件具有很好的整流特性，反向电流小、击穿电压高，且在高温下器件波动很小，能够稳定地工作，适合于在高温(600℃)等恶劣环境下长期可靠地工作。
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| 关 键 词： | 碳化硅 6H—SiC肖特基势垒二极管 宽禁带半导体 肖特基势垒二极管 直流磁控溅射 碳化硅 |
| 文章编号： | 1004-3365(2003)01-0026-03 |
| 修稿时间： | 2002-04-04 |
Analysis on Characteristics of Pt/6H-SiC Schottky Diode |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC Schottky diode Wide band-gap semiconductor DC magnetron sputtering |
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