| 离子络合法制备ZnO纳米线 |
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| 引用本文： | 颜莉莉,贺英,支华军,桑文斌.离子络合法制备ZnO纳米线[J].化工新型材料,2005,33(1):21-23. |
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| 作者姓名： | 颜莉莉 贺英 支华军 桑文斌 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院高分子材料系,上海,201800 |
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| 基金项目： | 上海市科委纳米科技专项基金 (No 0 2 52nm0 1 2 )，上海市教委科技发展基金 (No 0 3AK30 )，上海市教委“材料学”重点学科资助。 |
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| 摘 要： | 通过高聚物PAM与锌盐发生离子络合反应 ,将络合溶液涂膜在单晶硅片上 ,再通过烧结使之生长出ZnO纳米线。用场发射扫描电子显微镜 (FE SEM )、X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (IR)对所得样品的结构与形貌进行分析表征 ,结果表明ZnO纳米线直径约 6 0～ 80nm、长度约 1～ 2 μm ,单晶 ,为六方晶系 ,且沿c轴方向优先生长。
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| 关 键 词： | ZnO 纳米线 离子络合法 |
| 修稿时间： | 2004年11月2日 |
Preparation of ZnO nanowires by ionic complexation |
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| Yan Lili,He Ying,Zhi Huajun,Sang Wenbin.Preparation of ZnO nanowires by ionic complexation[J].New Chemical Materials,2005,33(1):21-23. |
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| Authors: | Yan Lili He Ying Zhi Huajun Sang Wenbin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO nanowire ionic complexation |
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