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| 以砷为填料AsC1_3精馏法除硒和硫的研究 | |
| 引用本文： | 张昌培.以砷为填料AsC1_3精馏法除硒和硫的研究[J].稀有金属,1981(4). |
| 作者姓名： | 张昌培 |
| 摘 要： | 一、前言 由于制备GaAs等化合物半导体需要基础材料高纯砷,特别是对砷中硒和硫等杂质的含量要求很低,所以,国内外对如何除去砷中的硒和硫进行了大量而系统的研究工作。其方法有十余种之多,例如铅熔池法、生长单晶法、砷的氧化法、As_2O_3升华法、As_2O_3在盐酸中重结 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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