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包覆工艺制备多孔低介电氮化硅陶瓷的研究
引用本文:胡汉军,周万城,李坊森,罗发,朱冬梅,徐洁. 包覆工艺制备多孔低介电氮化硅陶瓷的研究[J]. 功能材料, 2008, 39(9)
作者姓名:胡汉军  周万城  李坊森  罗发  朱冬梅  徐洁
作者单位:西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072
摘    要:以硅粉为原料,通过添加成孔剂球形颗粒,以聚乙烯醇作粘结剂,采用包覆工艺、干压成型,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,对比了包覆工艺对实验结果的影响.结果表明,采用包覆工艺较未采用包覆工艺制得的多孔氮化硅陶瓷有着更高的气孔率,宏观孔分布均匀,有较多的微孔,介电性能良好.

关 键 词:包覆  多孔氮化硅  成孔剂  介电

Study on the preparation of porous silicon nitride ceramics by coating processing
HU Han-jun,ZHOU Wan-cheng,LI Fang-seng,LUO Fa,ZHU Dong-mei,XU Jie. Study on the preparation of porous silicon nitride ceramics by coating processing[J]. Journal of Functional Materials, 2008, 39(9)
Authors:HU Han-jun  ZHOU Wan-cheng  LI Fang-seng  LUO Fa  ZHU Dong-mei  XU Jie
Abstract:
Keywords:
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