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| C波段0.75mm AlGaN/GaN功率器件 | |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 中国科学院知识创新工程项目 |
| 摘 要： | 研制并测试了以蓝宝石作衬底的10× 75μμm_0.8μm AlGaN/GaN微波器件,采用等离子增强气相化学沉积的方法生长了250nm的Si3N4形成钝化层,直流特性从0.56A/mm上升到0.66A/mm,跨导从158mS/mm增为170mS/rmm,截止频率由10.7GHz增大到13.7GHz,同时在4GHz下,Vds=25V,Vgs=-2.5V,输出功率由0.90W增至1.79W,输出功率密度达到2.4W/mm.钝化有效地改善了器件的输出特性,减小和消除了表面寄生栅对器件的影响. |
| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 微波输出功率 Si3N4 钝化 波段 AlGaN 功率器件 Density Output Power Substrate Sapphire 影响 寄生 表面 输出特性 改善 输出功率密度 截止频率 跨导 直流特性 钝化层 生长 方法 气相化学沉积 |
10× 75μm × 0. 8μm AlGaN/GaN Power Devices on Sapphire Substrate with Output Power Density of 2. 4W/mm at 4GHz |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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