| 室温下β-Ga2O3纳米柱的脆韧转变研究 |
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| 引用本文： | 李佩,赵培丽,胡捷,吴姗姗,黄瑞龙,王佳恒,郑赫,贾双凤,王建波.室温下β-Ga2O3纳米柱的脆韧转变研究[J].电子显微学报,2024(1):11-17. |
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| 作者姓名： | 李佩 赵培丽 胡捷 吴姗姗 黄瑞龙 王佳恒 郑赫 贾双凤 王建波 |
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| 作者单位： | 1. 武汉大学物理科学与技术学院,电子显微镜中心,人工微结构教育部重点实验室和高等研究院;2. 武汉大学科研公共服务条件平台 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(Nos.12374014,52071237,12074290,52101021)；;中央高校基本科研业务费专项资金(No.2042023kf0172)； |
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| 摘 要： | β-Ga2O3的力学性能关系到相关电子器件的制造、封装以及应用，然而目前关于β-Ga2O3单晶的力学变形机制研究还相对匮乏。本文研究了(100)β-Ga2O3单晶在压应力作用下的力学行为，发现其极易沿着(100)B面脆断，并计算得到该材料的断裂应力范围为314.1～615.1 MPa。进一步揭示了不同长径比、不同直径对β-Ga2O3纳米柱力学变形行为的影响，实验结果表明：当长径比>2时，β-Ga2O3纳米柱在不同直径下均沿着(100)B面发生脆断；当长径比<2且直径<200 nm时，(100)β-Ga2O3发生脆性向塑性的转变，表现为先沿着■面发生滑移，之后沿着(100)B面断裂。最后，讨论了晶体学取向对于小尺寸β-Ga2O3塑性的影响，研究结果为理解β-Ga
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| 关 键 词： | β-Ga2O3 脆韧转变 力学研究 透射电子显微镜 |
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