| 用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层 |
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| 引用本文： | 刘世民,于栋利,田永君,何巨龙,李东春,陈世镇.用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层[J].电子显微学报,1998,17(1). |
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| 作者姓名： | 刘世民 于栋利 田永君 何巨龙 李东春 陈世镇 |
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| 作者单位： | 1. 秦皇岛玻璃研究设计院;燕山大学,秦皇岛,066004
2. 燕山大学,秦皇岛,066004 |
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| 摘 要： | 利用扫描电镜的选区电子通道花样技术研究了用ＥＬＩＤ磨削技术制作的两种单晶硅片磨削样品的表面变质层的厚度及其结构。结果表明，表面粗糙度依次为９．５ｎｍ和２２．５ｎｍ两种〈１１１〉单晶硅片样品的变质层厚度分别为２．８μｍ和４．８μｍ。
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| 关 键 词： | SACP ELID磨削 超镜面磨削 硅片 变质层 |
An Investigation of The Damaged Layer on The Silicon Wafer Surface by SACP Technique |
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| Liu Shimin,Yu Dongli,Tian Yongjun,He Julong,Li Dongchun,Chen Shizhen.An Investigation of The Damaged Layer on The Silicon Wafer Surface by SACP Technique[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,1998,17(1). |
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| Authors: | Liu Shimin Yu Dongli Tian Yongjun He Julong Li Dongchun Chen Shizhen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SACP ELID ultraprecision grinding silicon wafer damaged layer |
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