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| Ⅲ-Ⅴ族化合物中DX中心的新理论 | |
| 引用本文： | 薛舫时.Ⅲ-Ⅴ族化合物中DX中心的新理论[J].半导体学报,1991,12(8):453-460. |
| 作者姓名： | 薛舫时 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 南京210016 |
| 摘 要： | 本文提出了一种新的多能谷有效质量杂质电子态理论.它用导带中的Γ、X和L三个能谷的有效质量包络函数来描述杂质电子波函数,从而得出了杂质态的能谷属性.用此理论计算了GaAs_(1-x)P_x中Si施主的束缚能级和谐振能级.得到了Γ、L和Γ-L混和态三种能级,这些能级随组分比变化的关系同DX 中心的实验结果相吻合.在此基础上对DX 中心的一些实验现象给出了新的解释. |
| 关 键 词： | 化合物半导体 DX中心 理论 |
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