| RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜的电学性质 |
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| 引用本文： | 江若琏,郑有炓,马金中,冯德伸,江宁,张荣,胡立群,李学宁.RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜的电学性质[J].半导体学报,1991,12(8):482-487. |
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| 作者姓名： | 江若琏 郑有炓 马金中 冯德伸 江宁 张荣 胡立群 李学宁 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系 南京210008
(江若琏，郑有炓，马金中，冯德伸，江宁，张荣，胡立群)，南京大学物理系 南京210008(李学宁) |
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| 摘 要： | 本文对低温外延新技术——“快速辐射加热、超低压化学气相淀积”(RRH/VLP-CVD)生长的外延硅薄膜的电学性质进行了分析研究.扩展电阻分析显示了外延层杂质浓度分布均匀,与衬底间的界面区杂质分布陡峭.在外延层上制备了霍耳样品、PN结二极管和Al-SiO_2-SiMOS结构,经测量分析所得各项重要数据与优质硅单晶所制的样品相一致.实验结果表明RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜具有良好的电学性质,已可用于器件的制备.
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| 关 键 词： | 硅薄膜 外延生长 化学汽相淀积 |
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