| 多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究 |
| |
| 引用本文： | 陈维德,金高龙,崔玉德,许振嘉.多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究[J].半导体学报,1991,12(11):700-704. |
| |
| 作者姓名： | 陈维德 金高龙 崔玉德 许振嘉 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院国家表面物理实验室 北京100083，北京100080 |
| |
| 摘 要： | 本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性.当温度高于 850℃,多晶硅与硅化物间将发生互扩散和界面反应.随着退火温度升高,在惰性气体的气氛中,CoSi_2迁移到表面层,而硅外延生长在硅衬底上,形成 CoSi_2/Si 双层结构;在真空中热处理仍可保持 poly-Si/CoSi_2/Si 三层结构.
|
| 关 键 词： | 多晶硅 掺杂 多层结构 热处理 真空 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
