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| Si_3N_4膜pH-ISFET输出特性研究 | |
| 作者姓名： | 虞惇 魏亚东 王贵华 |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学 哈尔滨150006(虞惇，魏亚东)，哈尔滨工业大学 哈尔滨150006(王贵华) |
| 摘 要： | 通过对 pH-ISFET的长时间测量,发现器件的输出偏离 Nernst方程.提出了器件输出由快响应、慢响应和时漂三部分组成,以及器件响应与时漂数据的提取方法.证明了快慢响应的共同作用符合Nernst方程,慢响应的响应幅度小,长达数小时之久.在响应初期观察到的器件漂移,主要是慢响应造成的. |
| 关 键 词： | Si3N4膜 ISFET 输出特性 |
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