关于磁心和磁心存储器

大容量磁心存储器从几十微秒发展到1微秒至500毫微秒范围。在磁心的应用中逐渐发展成3D4W、2D3W、2(1/2)D3W、3D3W、2D2W、2(1/2)D2W等方式。线路技术有很大发展。磁心体的直接外围电路也从电子管发展到晶体管,进而集成电路化。磁心尺寸也从2 mm左右发展到0.4 mm左右。磁心体也从堆叠体改成部件化(即分体结构)或插件化。应当说磁心存储技术的发展,电子线路是命脉,结构是关键,元件器件是基础。兰者是个统一体,不可偏废。偏废一方就会给其它两方造成不必要的“压力”,总的水平也不易提高。因为存储器的速度已进入毫微秒量级,一切手段必须适应毫微秒技术的要求。因此,以磁心的基本脉冲特性和脉冲毫微秒技术为出发点,结合磁心存储器内的实际情况,也就是其特有的矛盾形式,利用电子计算机进行辅助设计已提到日程上来,部分地替代耗费巨大的模型试验,因而出现了电子计算机辅助设计(CAD)铁氧体存储器系统和方法。早期发表的文章对于系统噪音和衰减设定为常数,还需要进一步研究。这是一项值得人们非常重视的工作,应该说是磁心存储器设计工作成熟完善现代化的标志之一。在解决存储器具体矛盾时,电子线路存储方案起着主导作用,磁心板、磁心体的结构形式,也就是电子组装技术起着重要作用。磁心元件要想进一步发展,必须适应新形势下的新要求。