| 脉冲激光制备铱硅化合物长波红外敏感薄膜 |
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| 引用本文： | 杨建平,吴敢,王瑞,陈学康. 脉冲激光制备铱硅化合物长波红外敏感薄膜[J]. 半导体光电, 2005, 26(3): 223-225 |
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| 作者姓名： | 杨建平 吴敢 王瑞 陈学康 |
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| 作者单位： | 中国空间技术研究院兰州物理研究所,甘肃,兰州,730000;中国空间技术研究院兰州物理研究所,甘肃,兰州,730000;中国空间技术研究院兰州物理研究所,甘肃,兰州,730000;中国空间技术研究院兰州物理研究所,甘肃,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光薄膜沉积技术制备了超薄连续的铱硅化合物肖特基势垒薄膜,利用X射线光电子能谱、原子力显微镜、半导体性能自动测量系统对薄膜进行了分析.获得的样品在界面层为单相IrSi3,并对人体红外辐射有很好的响应特性,通过I-V曲线估算样品的势垒高度约为0.116 eV.
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 铱硅化物 红外 肖特基势垒 |
| 文章编号： | 1001-5868(2005)03-0223-03 |
| 修稿时间： | 2004-09-14 |
Iridium Silicide IR Thin Film Propared by Pulsed Laser Deposition |
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| YANG Jian-ping,WU Gan,WANG Rui,CHEN Xue-kang. Iridium Silicide IR Thin Film Propared by Pulsed Laser Deposition[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2005, 26(3): 223-225 |
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| Authors: | YANG Jian-ping WU Gan WANG Rui CHEN Xue-kang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | pulsed laser deposition iridium silicide infrared Schottky barrier |
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