| 声表面波在AlN/GaN中的传播特性分析 |
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| 引用本文： | 荆二荣,冯士维,郝伟.声表面波在AlN/GaN中的传播特性分析[J].材料导报,2007,21(6):21-22,34. |
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| 作者姓名： | 荆二荣 冯士维 郝伟 |
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| 作者单位： | 北京工业大学应用数理学院,北京,100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 |
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| 摘 要： | 从矩阵方法的基本原理出发,结合AlN/GaN结构的机械和电学边界条件,推导出用于求解声表面波在AlN/GaN结构中的相速的行列式方程.通过求解该行列式方程,分析了声表面波在AlN/GaN结构中的传播特性,包括声表面波相速和机电耦合系数随频率、AlN的膜厚和c轴取向的变化规律.AlN/GaN结构减弱了GaN中施主杂质的影响,使该结构更适合于声表面波器件的应用,AlN和GaN作为半导体压电材料,其AlN/GaN结构便于与其它电路集成化,有利于减小器件的尺寸,增强声表面波器件的功能.
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| 关 键 词： | 声表面波 矩阵方法 相速 机电耦合系数 |
Analysis of SAW Propagating Properties in AIN/GaN Structures |
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| JING Errong,FENG Shiwei,HAO Wei.Analysis of SAW Propagating Properties in AIN/GaN Structures[J].Materials Review,2007,21(6):21-22,34. |
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| Authors: | JING Errong FENG Shiwei HAO Wei |
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| Affiliation: | 1 College of Applied Sciences, Beijing University of Technology,Beijing 100022; College of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022 |
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