基于Simplorer驱动电阻对IGBT特性影响研究

驱动电阻对IGBT特性有直接关系,针对大多数仿真软件对IGBT模型的建立不够准确,采用Ansys公司的Simplorer对IGBT进行参数化建模,并用双脉冲测试方法来对IGBT搭建外围电路。重点分析栅极驱动电阻对IGBT的电压变化率和通断延时的关系,分析表明驱动电阻与IGBT电压变化率和开通延时时间的关系成线性关系。对驱动电阻阻值不同的驱动电路对IGBT进行仿真,仿真结果符合理论推导。因此,选择大小恰当的驱动电阻对IGBT使用具有一定工程意义。