|
|||||
|
|
| Ⅱ类超晶格甚长波红外探测器的发展 | |
| 引用本文： | 王忆锋,余连杰,钱明.Ⅱ类超晶格甚长波红外探测器的发展[J].光电技术应用,2011,26(2):45-52. |
| 作者姓名： | 王忆锋 余连杰 钱明 |
| 作者单位： | 昆明物理研究所; |
| 摘 要： | 由Ⅲ-Ⅴ族半导体材料InAs/GaSb或InAs/Ga1-xInxSb构成的Ⅱ类超晶格(T2SL)光电探测器近年来在理论结构设计及试验器件实现方面进展显著.带隙工程和能带结构工程使得T2SL比碲镉汞材料具有某些优势,特别是很小的窄带隙方面.这些特有的性质,例如较大的有效电子质量、重空穴带和轻空穴带之间的较大间距可以抑制... |
| 关 键 词： | Ⅱ类超晶格 红外探测器 甚长波红外 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |