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旋涂法制备量子点LED功能层材料的研究进展北大核心
引用本文:崔贺凤李晓云郭美玲.旋涂法制备量子点LED功能层材料的研究进展北大核心[J].微纳电子技术,2018(4):225-233.
作者姓名:崔贺凤李晓云郭美玲
作者单位:1.天津工业大学电子与信息工程学院;
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61575144)
摘    要:综述了采用旋涂法制备的量子点发光二极管(QLED)中各功能层材料的研究进展,对可旋涂制备的多种载流子注入层和传输层材料的特性及应用进行了对比总结。多项研究表明:对于电子传输层(ETL),ZnO和TiO2等无机金属氧化物材料在电子迁移率及器件可靠性方面都要优于有机材料;对于空穴传输层(HTL),则是具有较高空穴迁移率及成膜质量好的聚双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](Poly-TPD)、聚(9-乙烯咔唑)(PVK)等有机聚合物材料应用更为广泛;而MoOx和WOx等无机金属氧化物材料则由于其能级匹配和可靠性方面的优势更多用于空穴注入层。随着技术的成熟及QLED应用中对高效率和高可靠性的要求,无机金属氧化物材料在QLED中的应用将越来越广泛,结合成本低廉的旋涂法,将有力地推动QLED的商业化。

关 键 词:量子点发光二极管(QLED)  旋涂法  电子传输层(ETL)  空穴传输层(HTL)  电子迁移率  空穴迁移率
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