基于隧穿机理的石墨烯纳米带准一维器件设计北大核心 |
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引用本文: | 刘安琪吕亚威常胜黄启俊王豪何进.基于隧穿机理的石墨烯纳米带准一维器件设计北大核心[J].微纳电子技术,2018(8):537-543. |
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作者姓名: | 刘安琪吕亚威常胜黄启俊王豪何进 |
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作者单位: | 1.武汉大学物理科学与技术学院; |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(61574102,61774113);湖北省自然科学基金资助项目(2017CFB660);武汉大学中央高校基础研究基金资助项目(2042017gf0052,2042016kf0189) |
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摘 要: | 隧穿场效应晶体管(TFET)在低功耗领域具有很好的应用前景,以优化新型准一维TFET为目的,通过数值仿真研究了以石墨烯纳米带(GNR)为沟道材料的准一维TFET以及受器件尺寸和掺杂浓度控制的器件输运特性及开态和关态电流。以能带调控理论结合局域态密度与电流谱密度间的关系为手段对隧穿效应的机理进行了详细的探讨,分析了禁带宽度、栅覆盖范围、沟道长度和源漏掺杂浓度4个变量对输运过程的影响,进而确定了其对器件性能影响的变化趋势,并总结了相应原则,得到了有利于提高驱动能力、降低静态功耗以及满足数字电路一般性要求的准一维器件的设计策略。这一研究可为基于准一维材料的TFET的设计提供参考,推动基于平面材料的新型器件的发展。
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关 键 词: | 隧穿场效应晶体管(TFET) 准一维材料 石墨烯纳米带(GNR) 隧穿机理 开关电流比(Ion/Ioff) |
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