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碱性CMP表面活性剂对硅衬底表面状态的影响北大核心
作者姓名:洪姣  刘国瑞  牛新环  刘玉岭
作者单位:1.天津城建大学计算中心300384;2.河北工业大学电子信息工程学院300130;
基金项目:国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)
摘    要:主要研究了硅衬底碱性精抛液中表面活性剂对硅衬底表面粗糙度、表面缺陷以及抛光雾的影响。实验结果表明,随着硅衬底精抛液中表面活性剂体积分数由0%增加到1%,表面粗糙度和表面缺陷数量都呈现出迅速降低的变化趋势,表面活性剂对降低表面粗糙度和减少表面缺陷效果明显。但是当表面活性剂体积分数大于5%时,抛光后硅衬底的表面粗糙度和表面缺陷数量都略有升高。表面活性剂体积分数为5%时,表面粗糙度及表面缺陷数量最小。由抛光雾实验可以看出,随着表面活性剂体积分数的增加,硅衬底精抛后的抛光雾值先降低后升高,进一步验证了当表面活性剂体积分数为5%时,抛光后硅衬底的表面状态最好。

关 键 词:碱性抛光液  硅衬底  化学机械抛光(CMP)  表面粗糙度  表面缺陷  抛光雾
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