碱性CMP表面活性剂对硅衬底表面状态的影响北大核心 |
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作者姓名: | 洪姣 刘国瑞 牛新环 刘玉岭 |
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作者单位: | 1.天津城建大学计算中心300384;2.河北工业大学电子信息工程学院300130; |
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基金项目: | 国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007) |
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摘 要: | 主要研究了硅衬底碱性精抛液中表面活性剂对硅衬底表面粗糙度、表面缺陷以及抛光雾的影响。实验结果表明,随着硅衬底精抛液中表面活性剂体积分数由0%增加到1%,表面粗糙度和表面缺陷数量都呈现出迅速降低的变化趋势,表面活性剂对降低表面粗糙度和减少表面缺陷效果明显。但是当表面活性剂体积分数大于5%时,抛光后硅衬底的表面粗糙度和表面缺陷数量都略有升高。表面活性剂体积分数为5%时,表面粗糙度及表面缺陷数量最小。由抛光雾实验可以看出,随着表面活性剂体积分数的增加,硅衬底精抛后的抛光雾值先降低后升高,进一步验证了当表面活性剂体积分数为5%时,抛光后硅衬底的表面状态最好。
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关 键 词: | 碱性抛光液 硅衬底 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 表面缺陷 抛光雾 |
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