TiO2纳米管阵列的电化学自掺杂及电容特性北大核心 |
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作者姓名: | 孙雅静李刚李廷鱼 |
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作者单位: | 1.太原理工大学信息与计算机学院微纳系统研究中心; |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(61674113,51622507,61471255);山西省自然科学基金资助项目(2014011019-1,20141001021-2,2016011040);山西省回国留学人员科研项目(2013-036);山西省人社厅留学人员择优资助项目([2013]251);人社部留学人员择优资助项目([2014]240);山西省高校科技创新研究项目(2016138) |
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摘 要: | 阳极氧化钛箔合成高度有序的TiO2纳米管阵列。通过电化学自掺杂的方法对原始TiO2纳米管阵列电极进行改性,研究了不同掺杂条件对TiO2纳米管阵列电极电化学性能的影响,探索了电化学自掺杂的最佳实验参数。实验结果表明:电化学未掺杂的原始TiO2纳米管阵列电极表现出的最大比电容仅为1.55 mF·cm^-2,在25℃下0.5 mol/L的Na2SO4溶液中,施加5 V电压掺杂30 s后,TiO2纳米管阵列电极导电性显著增强,比电容可达到22.17 mF·cm^-2,是原始TiO2纳米管阵列电极比电容的14.3倍,电化学自掺杂显著提高了TiO2纳米管的导电性及电容性能。同时,电化学自掺杂不会损坏或改变TiO2纳米管的形貌和晶体结构。
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关 键 词: | TiO2纳米管 阳极氧化 电化学自掺杂 电化学性能 晶体结构 |
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