| 超薄顶硅层SOI基新颖阳极快速LIGBT北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 陈文锁,张培建,钟怡.超薄顶硅层SOI基新颖阳极快速LIGBT北大核心CSCD[J].半导体技术,2016(7):509-513. |
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| 作者姓名： | 陈文锁 张培建 钟怡 |
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| 作者单位： | 1.重庆中科渝芯电子有限公司401332;2.中国电子科技集团公司第二十四研究所400060; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61404013)；重庆市基础与前沿研究计划(一般)资助项目(cstc2013jcyj A40060)；重庆市博士后研究人员科研项目特别资助项目(xm2014085) |
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| 摘 要： | 提出一种利用浅槽隔离(STI)技术的超薄顶硅层绝缘体上硅(SOI)基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),简称STI-SOI-LIGBT。该新结构器件整体构建在顶硅层厚度为1μm、介质层厚度为2μm的SOI材料上,其阳极采用STI和p+埋层结构设计。新器件STI-SOI-LIGBT的制造方法可以采用半导体工艺生产线常用的带有浅槽隔离工艺的功率集成电路加工技术,关键工艺的具体实现步骤也进行了讨论。器件+电路联合仿真实验说明:新器件STISOI-LIGBT完全消除了正向导通过程中的负微分电阻现象,与常规结构LIGBT相比,正向压降略微增加6%,而关断损耗大幅降低86%。此外,对关键参数的仿真结果说明新器件还具有工艺容差大的设计优点。新器件STI-SOI-LIGBT非常适用于SOI基高压功率集成电路。
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| 关 键 词： | 绝缘体上硅(SOI) 浅槽隔离(STI) 横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT) 负微分电阻(NDR) 功率集成电路 |
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