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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
δ掺杂GaAs超晶格的辐射跃迁
作者姓名:
程文超 夏建白
作者单位:
中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
摘 要:
低温下观察了弱耦合δ掺杂GaAs超晶格的辐射复合发光.实验结果表明:除观察到基态的复合发光外,还观察到激发态的复合发光.基于有效质量近似理论,计算了能带结构和发光光谱,理论结果与实验结果符合得很好.
关 键 词:
δ掺杂
超晶格
辐射跃迁
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