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δ掺杂GaAs超晶格的辐射跃迁
作者姓名:程文超 夏建白
作者单位:中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
摘    要:低温下观察了弱耦合δ掺杂GaAs超晶格的辐射复合发光.实验结果表明:除观察到基态的复合发光外,还观察到激发态的复合发光.基于有效质量近似理论,计算了能带结构和发光光谱,理论结果与实验结果符合得很好.

关 键 词:δ掺杂  超晶格  辐射跃迁
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