分子束外延生长GaAs单晶薄膜 |
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作者姓名: | 周子新 谢国柱 罗恩银 龚汨清 于自强 尹秋琴 苏树人 唐红 |
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作者单位: | 一四四四研究所(周子新,谢国柱,罗恩银),一四四八研究所(龚汨清,于自强,尹秋琴,苏树人),一四四八研究所(唐红) |
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摘 要: | 本文报导首次用自制的分子束外延(MBE)炉生长GaAs单晶薄膜的初步工艺实验。用一个喷射炉装GaAs多晶作As源,另一个喷射炉装Ga作Ga源。把GaAs(100)衬底腐蚀、清洗后置于衬底台上,调节喷射炉的温度使分子束强度比(As_2)/()Ga为5~10左右,其衬底保持在适当温度时进行外延生长。从电子衍射的花样和外延层厚度等测试结果表明:使用MBE成功地生长出了GaAs单晶薄膜。
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