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| Ⅱ-Ⅵ族化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延 | |
| 引用本文： | 昭华.Ⅱ-Ⅵ族化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延[J].激光与红外,1982(5). |
| 作者姓名： | 昭华 |
| 摘 要： | 本文第一次报导了Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延(MBE)。在MBE(111)CdTe表面上于100℃下完成外延。所用的三种材料源为Cd、Te和作为Hg源的HgTe。Cd/Te通量比率决定x值,即合金的组分。不同x值(由0～0.35)和厚度(达6微米)的层为具有条纹绕射花纹的单晶。其表面光亮清洁。 |
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