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| 超纯多晶和单晶制备 | |
| 引用本文： | 汤心慎.超纯多晶和单晶制备[J].真空,1965(4). |
| 作者姓名： | 汤心慎 |
| 摘 要： | 在制备超纯多晶和单晶制备过程中,应用真空技术和真空设备甚多,因此我国在安排参观日程时也列入制备超纯多晶和单晶有失真空设备生产使用的工厂。前后参观了: 1.小松电子三岛工场,看了用SiH4方法制备多晶硅和用浮悬熔炉制备单晶; 2.国际电气株式会社看到了浮悬区熔妒、单晶提升炉、扩散炉等; 3.神港精机工厂,看到了扩散炉。现就看到的,听到的简要汇报如下:(一)由硅烷制备高纯 硅及其单晶 在日本用由硅烷制备超纯硅,仅有小松电子金属株式会社一家。该厂于1958年研究用此法制备超纯硅,1960年开始小量生产,1961年建成现在车间。目前能供应纯度… |
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