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| Si缓冲层生长温度对SiGe外延层结构的影响 | |
| 引用本文： | 谭伟石,吴小山,蒋树声,贾全杰,郑文莉,姜晓明,郑鸿样.Si缓冲层生长温度对SiGe外延层结构的影响[J].北京同步辐射装置年报,2002(1):154-158. |
| 作者姓名： | 谭伟石 吴小山 蒋树声 贾全杰 郑文莉 姜晓明 郑鸿样 |
| 作者单位： | [1]南京大学固体微结构物理国家重点实验室，微结构物理高等科学技术中心，南京大学物理系，南京2l0093 [2]中国科学院高能物理研究所，北京100039 [3]国立台湾大学凝聚态科学中心，台湾 |
| 摘 要： | 用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化，最佳生长温度为450℃；缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。 |
| 关 键 词： | Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格 |
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