| 脉冲激光沉积法在GaN基片上制备c轴取向LiNbO_3薄膜 |
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| 引用本文： | 廖秀尉,朱俊,罗文博,郝兰众. 脉冲激光沉积法在GaN基片上制备c轴取向LiNbO_3薄膜[J]. 真空科学与技术学报, 2010, 30(5). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.05.09 |
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| 作者姓名： | 廖秀尉 朱俊 罗文博 郝兰众 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划"973"，国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用LiNbO3单晶靶材,以激光脉冲沉积方法在六方GaN(0001)基片上沉积制备c轴取向的LiNbO3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了沉积温度和氧气压强对生长的薄膜的相组成、外延关系、表面形貌、晶粒大小的影响。结果显示,沉积温度500℃、氧分压20~30 Pa是在GaN基片上生长c轴取向LiNbO3薄膜的最优生长条件。XRD分析表明,生长的LiNbO3薄膜具有两种晶畴结构,其外延关系分别为[1-100](0001)LiNbO3//[11-20](0001)GaN和[10-10](0001)LiNbO3//[-12-10](0001)GaN。SEM和AFM对薄膜的表面形貌表征表明,在最优生长条件下沉积的薄膜表面平整,致密度好。
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| 关 键 词： | LiNbO3薄膜 c轴取向 脉冲激光沉积 |
Microstructures and Properties LiNbO3 Films Grown by Pulsed Laser Deposition on GaN Substrate |
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| Liao Xiuwei,Zhu Jun,Luo Wenbo,Hao Lanzhong. Microstructures and Properties LiNbO3 Films Grown by Pulsed Laser Deposition on GaN Substrate[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2010, 30(5). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.05.09 |
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| Authors: | Liao Xiuwei Zhu Jun Luo Wenbo Hao Lanzhong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | XRD |
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