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电弧离子镀与中频磁控溅射复合制备TiAlN薄膜
引用本文:林小东,SONG Xu-ding,傅高升.电弧离子镀与中频磁控溅射复合制备TiAlN薄膜[J].中国表面工程,2008,21(4).
作者姓名:林小东  SONG Xu-ding  傅高升
作者单位:福建交通职业技术学院,福州,350007;福州大学,机械工程学院,福州,350001
基金项目:福建省教育厅A类科技项目基金资助
摘    要:采用Ti靶电弧离子镀与Al靶中频磁控溅射相结合的复合工艺,分别在单晶硅抛光面和高速钢抛光面两种基体上成功地制备了TiAlN薄膜样品.电子扫描电镜(SEM)、能谱和X射线衍射(XRD)分析结果表明:此复合工艺下制备的TiAlN薄膜比TiN薄膜表面液滴尺寸更小,针状孔洞基本消除,组织更为致密均匀.TiAlN薄膜的含Al量为0.86 %(原子百分比)左右,Ti与N的含量比(原子百分比)大致为1:1,Al原子的加入使TiN结晶结构发生畸变,晶格常数变小.TiAlN薄膜的硬度比TiN薄膜的硬度,提高30 %左右.

关 键 词:中频磁控溅射  电弧离子镀  TiAlN薄膜  TiN薄膜

TiAlN Films Deposited by Arc Ion Plating Compounded with Intermediate Frequency Unbalanced Magnetron Sputtering
LIN Xiao-dong,SONG Xu-ding,FU Gao-sheng.TiAlN Films Deposited by Arc Ion Plating Compounded with Intermediate Frequency Unbalanced Magnetron Sputtering[J].China Surface Engineering,2008,21(4).
Authors:LIN Xiao-dong  SONG Xu-ding  FU Gao-sheng
Abstract:
Keywords:
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