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LED用SiC衬底的超精密研磨技术现状与发展趋势
引用本文:臧跃,周海,徐晓明,卓志国. LED用SiC衬底的超精密研磨技术现状与发展趋势[J]. 机械设计与制造, 2013, 0(4)
作者姓名:臧跃  周海  徐晓明  卓志国
作者单位:1. 江苏大学,江苏镇江212013;盐城工学院,江苏盐城224051
2. 盐城工学院,江苏盐城,224051
3. 盐城工学院,江苏盐城224051;常州大学,江苏常州213016
基金项目:江苏省自然科学基金项目,江苏省高校科研成果产业化推进项目,江苏省"青蓝工程";江苏省新型环保重点实验室开放课题基金,江苏省生态环境材料重点建设实验室开放课题资助
摘    要:介简单地介绍了发光二极管的发展历程,概述了LED用SiC衬底的超精密研磨技术的最新现状及发展趋势,阐述了研磨技术的原理、应用和优势。同时结合实验室X61 930B2M-6型研磨机,分析了加工工艺参数对研磨表面质量的影响,介绍了当前SiC衬底加工达到的精度水平,即SiC衬底表面粗糙度小于50nm,平面度和翘曲度均小于5,并提出了研磨加工将会向高精度、高效率的方向发展。SiC作为外延的最佳衬底,必将成为研究热点,未来SiC会向大尺寸、更低缺陷水平方向发展。

关 键 词:SiC衬底  研磨  粗糙度  加工效率

Situation and Development Trends of lapping for SiC Substrates for LED
ZANG Yue , ZHOU Hai , XU Xiao-ming , ZHUO Zhi-guo. Situation and Development Trends of lapping for SiC Substrates for LED[J]. Machinery Design & Manufacture, 2013, 0(4)
Authors:ZANG Yue    ZHOU Hai    XU Xiao-ming    ZHUO Zhi-guo
Abstract:
Keywords:
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